Poudre de grain de carbure de silicium
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Poudre de grain de carbure de silicium

Conductivité thermique : 71-130 W/mK
Densité volumique : g/cm3 2.70-2.90
Type : carbure de silicium de pureté 99,9 %
Application : réfractaire, abrasif, meulage et polissage
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Présentation du produit
Méthodes de production de carbure de silicium

 

Il existe deux méthodes principales pour produirecarbure de silicium: dépôt chimique en phase vapeur et dépôt physique en phase vapeur. Le dépôt chimique en phase vapeur est le processus consistant à utiliser des hydrocarbures et du silicium pour réagir à des températures élevées afin de générer du carbure de silicium déposé sur un substrat, tandis que le dépôt physique en phase vapeur utilise des méthodes physiques pour évaporer le carbone et le silicium et les condenser sur un substrat pour former du carbure de silicium.
Le dépôt chimique en phase vapeur présente une efficacité de production élevée et un faible coût et constitue actuellement la principale méthode de production de carbure de silicium. Le dépôt physique en phase vapeur présente des barrières techniques et des coûts élevés et est principalement utilisé pour la préparation de carbure de silicium de haute qualité à des fins spéciales.

 

Paramètres communs du carbure de silicium

Composition chimique (%)
SiC Fe2O3 F.C. C gratuit
min maximum
98.00 0.25 0.25 -
97.00 0.50 - 0.50
95.00 1.00 - -
88.00 - - -
85.00 2.00 - -

 

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